高压真空断路器操作过电压产生原因及保护措施

高压真空断路器结构具有设计简单、可靠性高、免维护、寿命长、适合企业频繁运行等特点，可广泛应用于电力管理系统中。但在同一时间真空断路器也有一些不足之处，如封闭，弹跳，中兴，更新和产生的过电压。当没有特别的必要突出一个并联反应器库过电压切换问题出现。通过对真空断路器投切并联电抗器的运行发展情况的相关因素试验进行研究，对过电压可以产生的原因及相应的保护管理措施方法如下：试验数据结果比较分析：高压真空断路器过电压现象大致内容分为两大类：合闸过电压、分闸过电压。开关过电压可分为两类: 第一类是与电感和电容元件的简谐运动相似的截止过电压，第二类是再燃过电压，真空断路器电抗器的开关过电压在再燃时可达到相当高的水平。相对过电压最大值为5.83倍，无再燃时仅为1.57倍，可见再燃是引起过电压的主要原因。具体的过电压种类及产生重要原因分析如下：

1、截流过电压：并联电抗器等效控制回路以电容、电感为主，这种工作回路的电压输出电流是不能通过突变的，截流必然需要引起社会剧烈的电磁振荡。忽略系统阻尼的影响，守恒定律可穿过闭合根据所估计的值的电压不同的能量质量的衍生单相反应器中。

（1）可以看到真空断路器的截止值的增高而变小的寄生电容，较高过闭合的电压。三相控制管理系统的截流过电压更为复杂，但其原理可以进行分析基本发展情况相同。

2.复燃过电压：断路器开断时，若断载侧的暂态恢复电压及其上升速率高于断裂绝缘强度的恢复能力及恢复速度，则电弧瞬间击穿断裂，产生再燃烧，并在再燃烧阶段产生再燃烧过电压，另一阶段产生感应过电压，然后高频暂态电流零过，断裂面再电弧，电流再互导。 如果断裂负荷侧瞬态恢复电压及其上升速率仍高于断裂绝缘强度的恢复能力和恢复速度，则将再次重复“击穿熄灭过程”，直到断裂绝缘强度足够大，不再产生再燃烧。在真空断路器破并联电抗器的情况下，瞬态恢复电压主要由封闭件，封闭件可在电压上升率的直接影响频率进行不断反映系统的瞬态恢复电压;甚高频导致成本的瞬态恢复电压的上升率很高，和高瞬态恢复电压瞬态恢复电压逐渐利率上升导致高概率死灰复燃。

3，过电压重燃：测试实施例和两个例子都没有发现更新的现象，但仍需要过电压问题更新时需要考虑。一般采用这种发展情况下可以通过使用真空管理系统断路器的重燃是由于灭弧室制造时没有一个问题学生进行老炼造成的，在真空灭弧室采取老炼措施后，真空环境控制断路器的重燃几率就会很低。更新和更新了许多倍电压生成过程和过程是相似的回潮，重新多次过电压水平是非常高的。

4，关闭操作过电压：过压情况下关闭主要业务为断路器合闸弹跳工作状态存在的结果的问题，出现了“故障类似回潮 - 关怀过程，提高关过压保护。 

例2，虽然弹跳现象也可以看出，但没有类似的“击穿-熄灭过程”，过电压水平较低。高压真空断路器过电压现象相应的保护措施及相关设备应采用: 

1、过电压保护措施: 根据实例1和实例2的比较，以及电流截留和再燃等过电压产生机理，建议在电抗器侧和母线侧分别安装阻容吸收器，以增加母线侧和电抗器侧对地的电容，既能降低过电压截止的幅值，又能降低过电压截止的频率，通过改善灭弧条件和降低再燃概率，可以降低真空断路器电抗器的运行过电压。但是，即使安装浪涌吸收器不能保证重燃断路器不会发生，复发，以及可能会发生意外的共振，出于安全原因，应该是在反应器中，一边用氧化锌避雷器母线侧中，为了可靠地确保绝缘装置不被损坏，由于过电压。

2、阻容吸收利用装置的参数：选择过电压保护信息技术教学设备的主要就是通过相关参数应考虑到了现在以下分析研究方法主要方面存在一些问题：

(1)限制截流过电压的频率，建议我们应该将其作为一个限制在1000Hz以下；

(2)运行中阻容吸收其他装置的谐振频率避开这个经济系统结构设计中常见的谐波频率；

(3)对运行中的阻容吸收装置的谐振频率加必要的阻尼，以防止扰动激发阻容吸收装置与电抗器的电感产生重要影响谐振造成生产成本过高的过电压

(4)阻容吸收装置应能够实现有效保证我国企业文化长期持续发展方式运行；

(5)阻容吸收装置的绝缘能力建设水平方向应与管理会计系统的绝缘健康教育水平基本要求相一致；

(6)避雷器的参数应能够不断得到充分保护网络安全设备的绝缘。

用于在使用高压真空断路器，以避免过度相关考虑电压的现象：

（1）真空断路器 smitched反应器的过电压主要由真空开关闭合; 

（2）比当过电压电流斩波电平真空断路器切并联复发倍; 

（3）RC吸收装置真空断路器 smitched反应器具有良好的过电压抑制效果。

(4)建议在使用一个真空断路器投切并联电抗器时，选择一些不易管理发生重燃、截流值小的断路器；

(5)真空断路器投切10kV,6000kvar并联电抗器时应在学生已有的过电压保护技术措施的基础上，在电抗器侧和母线侧同时通过加装阻容吸收利用装置，推荐值为R=40Ω，C=0.5μF；